Физический энциклопедический словарь - электрострикция

В изотропных средах, в т. ч. в газах и в жидкостях, Э. наблюдается как изменение плотности под действием электрич. поля и описывается ф-лой:

V/V =AE², (1)

где V/V—относительная объёмная деформация, А=(/2)d(д/дd) ( — сжимаемость, d — плотность,  — диэлектрич. проницаемость). Для органич. жидкостей (ксилол, толуол, нитробензол) A~10^-12 ед. СГСЭ. В анизотропных кристаллах Э. можно описать зависимостью между двумя тензорами 2-го ранга — тензором квадрата напряжённости электрич. поля и тензором деформации:

rij=mnRijmnEmEn. (2)

Здесь rij— компонента тензора деформации, E mEn — составляющие электрич. поля. Коэфф. Rij наз. коэфф. Э. Число независимых коэфф. Э. зависит от симметрии кристаллов. Напр., для триклинных кристаллов тензоры Э. имеют 36 независимых коэфф. Величина Rij~10^-14—10^-10 ед. СГСЭ. В поле E~300 В•см rij~10^-6.

Иногда говорят о большой Э. у сегнетоэлектрикое. В действительности это обратный пьезоэффект, однако в сегнетоэлектрике, в к-ром объёмы различно поляризованных доменов одинаковы, деформация не зависит от направления поля. Под действием перем. электрич. поля частоты  диэлектрик в результате Э. колеблется с частотой 2 со (характерно для всех квадратичных эффектов). Э. может быть использована для преобразования электрич. колебаний в звуковые.

• Желудев И. С., Фотченков А. А., Электрострикция линейных диэлектриков, «Кристаллография», 1958, т. 3, в. 3, с. 308; Иона Ф., Ширане Д., Сегнетоэлектрические кристаллы, пер. с англ., М., 1965; Желудев И. С., Основы сегнетоэлектричества. М., 1973.

И. С. Желудев.